关于DDR2布线，阻抗，仿真的讨论
关于FPGA连接DDR2的问题<br/> 我采用XC4VSX35或XC4VLX25 FPGA来连接DDR2 SODIMM和元件。SODIMM内存条选用MT16HTS51264HY-667(4GB)，分立器件选用8片MT47H512M8。设计目标：当客户使用内存条时，8片分立器件不焊接；当使用直接贴片分立内存颗粒时，SODIMM内存条不安装。请问专家：<div><br/>1、在设计中，先用Xilinx MIG工具生成DDR2的Core后，管脚约束文件是否还可更改？若能更改，则必须要满足什么条件下更改？生成的约束文件中，ADDR，data之间是否能调换？</div><div>2、对DDR2数据、地址和控制线路的匹配要注意些什么？通过两只100欧的电阻分别连接到1.8V和GND进行匹配 和 通过一只49.9欧的电阻连接到0.9V进行匹配，哪种匹配方式更好？</div><div>3、V4中，PCB LayOut时，DDR2线路阻抗单端为50欧，差分为100欧？Hyperlynx仿真时，那些参数必须要达到那些指标DDR2-667才能正常工作？</div><div>4、 若使用DDR2-667的SODIMM内存条，能否降速使用？比如降速到DDR2-400或更低频率使用？</div><div>5、板卡上有SODIMM的插座，又有8片内存颗粒，则物理上两部分是连在一起的，若实际使用时，只安装内存条或只安装8片内存颗粒，是否会造成信号完成性的影响？若有影响，如何控制？</div><div>6、SODIMM内存条(max:4GB)能否和8片分立器件(max:4GB)组合同时使用，构成一个(max:8GB)的DDR2单元？若能，则布线阻抗和FPGA的DCI如何控制？地址和控制线的TOP图应该怎样？</div><div>7、DDR2和FPGA（VREF pin）的参考电压0.9V的实际工作电流有多大？工作时候，DDR2芯片是否很烫，一般如何考虑散热？</div><div>8、由于多层板叠层的问题，可能顶层和中间层的铜箔不一样后，中间的夹层后度不一样时，也可能造成阻抗的不同。请教DDR2-667的SODIMM在8层板上的推进叠层？</div> <p>1.请教FPGA人员</p><p>2.数据线已有ODT，不需要外部匹配。没见过两个电阻的方式，一个电阻连到0.9V VTT，注意这个VTT需要有SHUNT能力，即能输出正负电流。</p><p>3.阻抗只是一方式，TIMING更重要，其次是CROSSTALK</p> 1.请教FPGA工程师，一般来说可以。<br/>2.数据线已经有ODT不需要外部匹配了，没见过两个电阻的匹配方式。单个电阻连到0.9V VTT上，注意这个VTT需要有SHUNT能力，即能输出正负电流的。<br/>3.DDR2中阻抗是一方面，不过更关键是的TIMING以及CROSSTALK，另外注意不要跨分割，这是最基本的。<br/>4.当然可以<br/>5.肯定会有影响，你所能做的只有尽量缩短STUB的影响<br/>6.这取决于你的硬件设计，如CS。ODT的连接。当然应该没有设计蠢到不能同时用的程度，除非主控CPU不能寻址超过4G的范围。<br/>7.如果说参考电压，则几乎不需要电流，因为只是做参考。如果你说的是0.9V终端匹配电压，那需要一些电流，一般正负3A就足够了，这个可以计算的。速度越快DDR2越烫，一般一条4G的内存按到6到8W的功耗算，已经很高了。<br/>8.只要维持地平面，任何阻抗PCB厂家都是可以控制的。但要告诉你阻抗只是很小一方面，很多供应商的参考设计对DDR的阻抗要求都是变来变去的，根本没统一的标准。 继续关注，要做这方面的东东 <p><font color="#000000"><strong><font face="Verdana">谢谢zyonghui的回复!</font></strong></font></p><p><strong><font face="Verdana">我咨询过xilinx了，</font></strong></p><p><strong><font face="Verdana"> 1、 用MIG生成的UCF文件可在同组线中更改；</font></strong></p><p><strong><font face="Verdana"> 2、可通过一只50欧的电阻与0.9Vtt进行匹配；</font></strong></p> “单个电阻连到0.9V VTT上，注意这个VTT需要有SHUNT能力，即能输出正负电流的。”<br/>不太懂，我用输出0.9的DC/DC电源芯片给VREF和VTT一块供电，行不？<br/> <p>我也在做相关设计，准备把4片16x的DDR2集成在板上，cpu用的是MPC8349EA(集成64位DDR/DDR2内存控制器）</p><p>有几个问题想请教一下<font face="Verdana" color="#61b713"><strong>zyonghui</strong><font color="#000000">网友:</font></font></p><p><font face="Verdana" color="#000000">1.关于DDR2的匹配电阻，我是这样做的，不知道合理不：</font></p><p><font face="Verdana" color="#000000">将MPC8349EA与DDR2的数据组信号（DQ，DQS，DM）直接相连，不使用任何电阻。</font></p><p><font face="Verdana">将地址和控制信号从MPC8349EA引出后，以T形线分别接到上下各两片DDR2器件，</font></p><p><font face="Verdana">同时在T形分叉处使用47ohm电阻上拉到VTT。</font></p><p><font face="Verdana">2.购买DDR2颗粒时，DD2-400的器件买不到，只有同系列的DDR2-800的颗粒，</font></p><p><font face="Verdana">它能替代DDR2-400的颗粒吗？</font></p><p><font face="Verdana">3.DDR2颗粒是84脚的BGA，数据线是全部打孔扇出，还是用很细的线从表层引出呢？</font></p><p><font face="Verdana">因为我看有些设计的实例，基本没什么打孔，我担心数据线频率较高，全部打孔对信号完整性不利。</font></p> <p>第二个问题我已经找到答案了，</p><p> 在内存颗粒的datasheet里面有tCK参数范围的表格，这就表示工作频率了。</p> <p><a href="http://www.pcbbbs.com/viewthread.php?tid=201326">关注中……</a></p> <p>guan zhu zhong</p>
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