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回复网友yucen的疑问

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发表于 2010-10-22 17:06:33 | 显示全部楼层 |阅读模式
网友yucen,我把你给我的“私人消息和问题”公开了,这样可以让大家一起学习。下次要是单独请我吃饭的消息可以私下发我邮箱,这样的纯粹技术讨论可以公开发帖。如何?

1、控制线滞后于时钟,PCB的布线原因造成的,而且布线时CLK与控制信号、地址信号有误差,不太可能完全与时钟对齐吧。为什么老师在书中把它们按理想的同步对齐处理呢?我看过中兴、华为的两份仿真报告,控制信号都是先与时钟一起仿真,找出两个信号的延迟,然后再时序计算啊,不知道老师为什么说不用这样呢?
Doltbird回答:控制线和Clk信号之间的时间误差,在布线中一定是存在的。在书中,为了考虑到“大多数”读者对设计复杂度的接受能力,我把他们当作理想条件处理,也就是都和时钟做理想同步。如果你想在时序分析时再把这部分因素考虑进去,那也很简单,在书中206页,表6-14中增加一列数据,可以叫做Clock Alignmen Skew,然后在最后一列的Margin中再减掉这个值。也就是我们得到的最后的Margin。
2、能提供份DQS与CLK的时序分析吗?我看过论坛上你的回复,但CLK与DQS很多公司都单独仿真时序啊,这是为什么?
Doltbird回答:对书中例子的仿真我没有做。原因上面讲了。实际上控制线和Clk信号之间的时间误差也不会很大,在0.1ns内。

3、另外仿真时我们是否考虑微状线与带状线的传输速率差别,高速数字设计中两者传输有很大差别,请问你仿真是否考虑这个因数?
Doltbird回答:这个问题,很多网友都问过。在此解答一下。是不是考虑微带线和带状线的差别,需要从你的设计和仿真需求出发。同时也是DDR信号中为什么要求同一个Lane的信号必须在同一层的原因之一。(还有其他的原因,适当的时机我会再开个专题解释。)

4、DQS相对于CLK的建立时间和保持时间为什么在三星的内存datasheet上是DQS falling ege to ck setup time 和DQS falling ege  hold time to ck ?
Doltbird回答:这样做有什么问题么?你的困惑在哪里?你觉得应该怎么定义?

5、DDR2资料中DQS output access time from ck//ck是什么时间?
Doltbird回答:能告诉我你在哪里看到的数据么?我看后再回答你。


你的回答将是我前进的最大动力,谢谢!
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发表于 2010-10-27 18:31:54 | 显示全部楼层
谢谢你!
1、我明白了。但周润景的书上CPU到SDRM归类为同步方式中的内同步,而不是源同步,这样就涉及到Tco问题,但CPU端资料中很少有这个参数,而有些人有把CPU与SDRM和DDR归为源同步,极度迷惑?
2、CLK与DQS偏差不大很好理解,因为是同步输出。但时钟与DQS计算有有一个范围的,根据时序环Tflt_dqs-Tflt_clk固定在一个范围内,如何理解不用仿真这两个时序关系?
3、明白了。
4、我的意思就是这个参数为什么要说成下降沿而不是上升沿?
5、这个参数三星内存的datasheet的timing parameters by speed grade都有。
多谢了。
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 楼主| 发表于 2010-10-27 23:55:48 | 显示全部楼层
回复 3# yucen007


   

谢谢你!
1、我明白了。但周润景的书上CPU到SDRM归类为同步方式中的内同步,而不是源同步,这样就涉及到Tco问题,但CPU端资料中很少有这个参数,而有些人有把CPU与SDRM和DDR归为源同步,极度迷惑?
Doltbird: SDRM是啥? DDR是源同步。头一次听到所谓的内同步。有些书名字是高速设计和仿真,实际上是手册翻译。

2、CLK与DQS偏差不大很好理解,因为是同步输出。但时钟与DQS计算有有一个范围的,根据时序环Tflt_dqs-Tflt_clk固定在一个范围内,如何理解不用仿真这两个时序关系?
Doltbird: Tflt_dqs-Tflt_clk=0不就可以了么?!

3、明白了。
4、我的意思就是这个参数为什么要说成下降沿而不是上升沿?
Doltbird: DQS是双沿采样,所以定义一个就可以了。

5、这个参数三星内存的datasheet的timing parameters by speed grade都有。
Doltbird: 等有时间看过再回答你。


多谢了。
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发表于 2010-10-28 10:04:28 | 显示全部楼层
谢谢你的回答。
还好我没买周**的书,看了几章,发现都有疑问。时序理论节、CIS与allegro设计重用基本上都是错误的。
第二个问题要是你这么理解那就很简单了,这样两者等时处理就行了,但很多板子让时钟比数据长多少mil,活短多少,如何理解?
也期待老师能把第五个问题解答下,最好能扩展下,时序仿真时需要的参数与datasheet上的参数对应,包括发送端与接收端的参数。
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 楼主| 发表于 2010-10-28 12:51:13 | 显示全部楼层
回复 5# yucen007

第二个问题要是你这么理解那就很简单了,这样两者等时处理就行了,但很多板子让时钟比数据长多少mil,活短多少,如何理解?

Doltbird: 你说对了,在DDR布线中,就是要Clk和DQS以及DQ是等长的,你见过哪个DDRx的设计,要求Clk和DQS,DQ有长度差异? 我没遇到过的。至于你说的这种设计要求,可以把设计实例发上来,我们一起讨论。

也期待老师能把第五个问题解答下,最好能扩展下,时序仿真时需要的参数与datasheet上的参数对应,包括发送端与接收端的参数。
Doltbird:DQS output access time to Clk,就是指的在芯片输出Buffer上,DQS信号和Clk在时间上的差异。其实这个和我们说的上一个问题是一样的,理想情况下,无论是在芯片的Buffer输出,还是板级布线,我们都需要让Clk和DQS等长(等时)。可是实际设计和工艺一定会带来差异。同样的道理,你也会看到DQ output access time to Clk 这个参数。
   
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发表于 2010-10-28 14:10:39 | 显示全部楼层
顶一下
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发表于 2010-10-31 20:45:43 | 显示全部楼层
对源同步时序中Tco(time from clock rise to Vmeas int0 test load)的疑问。
共同时钟中我知道Tco这个参数产生是由于需要给系统找到共同的基准点,但在有些源同步公式中也有Tco这个参数,我的理解就是如下公式A;
Tvb_min+Tft_clk_min-Tft_data_max-Tsetup-Tsrtup_margin>0,
Tva_min-Tft_clk_max+Tft_data_min-Thold-Thold_margin>0,
Tva,Tvb为发送端的建立时间与保持时间
但在很多计算公式却涉及到Tco,而不是直接调用发送端的建立时间与保持时间,比如下面公式B(CLK与数据同方向时)
Tft_data_min>Thold-Tco_min+Tft_clk
Tft_data_max<Tcycle-Tsetup-Tco_max+Tft_clk
我的疑问是:
   1、虽然这两个公式可以统一到一起,但仿真时为什么要调用不同的公式呢?
   2、我的驱动端资料DDR部分中根本就没有Tco这个参数,只有建立时间、保持时间和时钟抖动参数,我直接调用公式A是否合适?
   3、常规的CPU资料是否应该出现Tco、建立时间和保持时间所有这些参数?
   4、还是SDRAM就应该当成共同时钟来处理呢,有资料就这样认为的?
请老师解答下疑问。
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 楼主| 发表于 2010-11-3 13:39:06 | 显示全部楼层
回复 8# yucen007


Tco这个参数和什么时钟类型没有关系。
理论上,我们希望所有的器件(同种类型的)都具有相同的物理参数。这样在系统设计时,就不会有那么多参数需要考虑。
但是实际上,世界上没有任何两个东西是一样的,因此如果这些差异性影响到了我们的仿真,那么就需要在仿真中考虑进去。
所以,是否需要计算Tco,以及调用哪个公式,是由你自己决定的。
解答你疑惑的最好方法就是自己亲自动手多做实验,通过比较在不同条件下的仿真结果逐步积累你自己的经验和感觉。
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发表于 2010-12-25 11:18:24 | 显示全部楼层
回复  yucen007

第二个问题要是你这么理解那就很简单了,这样两者等时处理就行了,但很多板子让时钟比数 ...
doltbird 发表于 2010-10-28 12:51


有些芯片的内部的连线会有长度差,所以需要在外部补偿的
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