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通常IC仅通过电容来达到去耦的目的，因为电容并不理想，所以会产生谐振。在大于谐振频率时，电容表现得象个电感，这就意味着di/dt受到了限制。电容的值由IC管脚间允许的电源电压波动来决定，根据资深设计人员的实践经验，电压波动应小于信号线最坏状况下的噪声容限的25％，下面公式可计算出每种逻辑系列输出门电路的最佳去耦电容值：
I=c·dV/dt
对快速逻辑电路来说，如果去耦电容含有很大串联电感（这种电感也许是由电容的结构、长的连接线或PCB的印制线路造成的），电容的值可能不再有用。这时则需要在尽可能靠近IC管脚的地方加入另外一个小陶瓷电容（100-100Pf）,与"LF-"去耦电容并联。陶瓷电容的谐振频率（包括到IC电源管脚的线路长度）应高于逻辑电路的带宽[1/(π.τr)],其中，τr是逻辑电路中电压的上升时间。
如果每个IC都有去耦电容，信号回路电流可选择最方便的路径，VEE或者VCC，这可以由传送信号的线路和电源线路间的互耦来决定。
在两个去耦电容（每个IC一个）和电源线路形成的电感Ltrace之间，会形成串联谐振电路，这种谐振只可以发生在低频（＜1MHz＝或谐振电路的Q值较低（＜2＝的情况下。
通过将高射频损耗扼流线圈串联在Vcc网络和要去耦的IC中，可使谐振频率保持在1MHz以下，如果射频损耗太低可通过并联或串联电阻来补偿
扼流线圈应该总是采用封闭的内芯，否则它会成为一个射频发射器或磁场铁感应器。
例如：1MHz*1μHz Z1=6.28Ω Rs=3.14Ω Q<2 Rp=12.56Ω
大于谐振频率时，"传输线"的特征阻抗Z0（此时将IC的阻抗看作电源负载）等于：Z0 =（Ltrace/Cdecoupling）的平方根
去耦电容的串联电感和连接线路的电感对射频电源电流分配没有多大影响，比如采用了一个1μH扼流线圈的情况。但它仍然会决定IC电源管脚间的电压波动，表3给出了电源信噪容限为25％时，推荐的最大电感值Ltrace.根据图2所建议的去耦方法，两个IC间的传输线数量从3条减少到了1条
因此，对每个IC采用适当的去耦方法：Lchoke+Cdec.电路块间就只需定义一条传输线。
对于τr<3ns的高速逻辑电路，与去耦电容串联的全部电感必须要很低。与电源管脚串联的50mm印制线路相当于一个50hH电感，与输出端的负载（典型值为50pF）一起决定了最小上升时间为3.2ns。如要求更快的上升时间，就必须缩短去耦电容的引脚。长度（最好无引脚）并缩短IC封装的引脚，例如可以用IC去耦电容，或最好采用将（电源）管脚在中间的IC与很小的3E间距（DIL）无引脚陶瓷电容相结合等方法来达到这一目的，也可以用带电源层和接地层的多层电路板。另外采用电源管脚在中间的SO封装还可得到进一步的改善。但是，使用快速逻辑电路时，应采用多层电路板。 | 
发表于 2005-9-23 15:14:26