晶圆代工厂争先投资嵌入式存储器

tingzhu

　　继台积电、联电提供存储器代工整合服务,近期东南亚晶圆代工厂也纷纷祭出解决方案,整合嵌入式存储器成为晶圆代工厂最“in”新趋势！马来西亚晶圆代工厂Silterra 日前宣布与力晶旗下转投资力旺签订专利授权协定,提供0.13微米至0.18微米工艺晶圆代工;同时,据了解,新加坡晶圆代工厂特许（Chartered）也已悄悄布局嵌入式Flash方案,晶圆代工业者纷纷投入此领域,为走向SoC作准备。

　　台积电近日宣布与SST的SuperFlash合作协议,从0.19微米跨入90纳米工艺,堪称目前拥有最先进嵌入式存储器解决方案的晶圆代工厂,台积电同时对嵌入式存储器供应商采开放态度,例如与其它存储器专利授权业者、力晶转投资力旺等合作,记体体产品线相当完整;同时,台积电过去90纳米工艺嵌入式DRAM工艺进展大幅超前,因此预计嵌入式DRAM产品线10月起将跨入65纳米工艺技术。

　　至于联电,自从该公司董事长胡国强表态有兴趣跨入Flash代工,为了巩固转投资硅统的DRAM货源,也加码茂德股票,使得联电如何跨入存储器事业引起外界关注;据了解,联电与裕隆集团共同投资的常忆科技,目前开发出的pFlash已在联电投片,工艺采用0.25、0.35微米,算是联电转投资IC设计公司方式在自己家里投片量产;目前台积电、联电存储器占营收比重约1％,但随着SoC整合趋势,未来比重可能向上攀升。相关型号：ISL9014IRFJZ　DEA451661BT-1034　XC9536VQ44AMM　HF2836-332Y3R0-T01　GRM2162C2A101JA01C