外層蝕刻製程簡介

JKINGCHEN

1. 3外層蝕刻線三大結構

1.3.1去膜

1.3.1.1去膜原理

成分: 2.0～3.0% NaOH，：10-15%聚乙二醇(消泡濟)

溫度: 55度

壓力: >2Kg/cm2

步驟: 潤濕 膨鬆 擊碎

輔助劑:錫保護劑

1.3.1.2化學反應方程式

NaOH + RCOOH ROO-Na+ + H2O

3.去膜槽過濾系統

A.目的: a.避免干膜屑堵塞噴嘴

b.避免干膜屑帶入水洗段

c.避免干膜溶解增加干膜負荷量

B.過濾系統設計:

a.藍網式過濾(Max-strainer)

b.即時移除式過濾(濾渣滾筒)

1.3.1. 4影響去膜速率的參數

A:去膜液的種類:特殊去膜液通常較快(有機鹼擴散較快),液鹼和MEA混合可以加快去膜速率。

B.乾膜種類：組成成分、厚度

C.濃度：濃度高較快

D.溫度：溫度高較快

E.乾膜負荷量：負荷量累積越高,速率減慢

F.噴壓：壓力高會較快

1.3.1.5去膜品質問題

剝膜不潔: 過度電鍍

乾膜殘足被包住

乾膜反沾

銅面氧化

乾膜不相容於去膜

鍍錫被攻擊

去膜製程控制不當

１.3.2蝕刻

1.3.2.1蝕刻原理

化學反應方程式:

2Cu + 2Cu(NH3)4Cl2 4Cu(NH3)2Cl(亞銅離子)

4Cu(NH3)2Cl + 4NH3 + 4NH4Cl 4Cu(NH3)4Cl2+2H2O

淨反應:

2Cu + 4NH4Cl + 1/2O2 2Cu(NH3)4Cl2 +2H2O

實際蝕銅的重要反應物質為二價銅，其中間態亞銅離子之溶解度很差，是一種污泥狀的沈澱物，若未有效及迅速除掉，將會在板面上形成蝕銅的障礙，造成板面或孔壁的污染，必須輔助以氨水﹑氯離子及空氣中大量的氧作為氧化劑，續氧化Cu+成為可溶性的二價銅離子，再度成為蝕銅的氧化劑，周而復始繼續蝕銅。

一般若是以比重控制器作為自動ES-480添加方式，槽液中的比重高於控制器設定值，則自動添加ES-480，日常操作分析Cu含量﹑氯含量﹑PH值。

１.3.2.2影響蝕刻因數說明

1.3.2.3蝕刻品質問題

蝕刻不全: 剝膜不潔 ;

鍍銅厚度不均勻

蝕刻過度;

蝕刻制程控制不當;;

鍍銅厚度不均勻

1.3.1. 4鈍化

目的: 無需導通的貫穿孔在電鍍時由干膜遮蓋，剝膜後孔內一銅，化學銅及鹼性鈀一併清除，但酸性鈀則無法完全清除。孔內未清除的酸性鈀於化鎳金制程中，將吸附化鎳金沉積，形成NPTH孔沾金。鈍化劑內含硫醇類化合物，與鈀形成硫化鈀類化合物，避免後制程化鎳金沉積。

1.3.3剝錫

1.3.1. 1錫藥液組成

Ａ液: a.氧化劑︰將Sn氧化成SnO.

b.抗結劑︰將SnO轉成可溶解性結構,避免飽和沈澱.

c.抑制劑︰防止A液咬蝕錫銅合金.

Ｂ液: a.氧化劑︰咬蝕錫銅合金.

b.抗沈劑︰防止金屬氧化物沈澱.

c.護銅劑︰保護銅面,防止氧化

1.3.3.2剝錫反應機構

A. 咬錫:

氧化 溶解L 溶解H+

Sn SnO SnL H2SnO3(H2O)

B.錫銅合金剝除:

氧化

Cu6Sn5 Cu2+ + Sn2+ (溶解)

氧化

Cu3Sn Cu2+ + Sn2+ (溶解)

1.3.3.33剝錫品質問題:

剝錫不潔: 剝錫制程控制不當

噴嘴阻塞或設備漏水漏液