P4 CPU电源如何处理？

lin9835 · 发表于 2002-12-20 21:13:00

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davidfu_2002 · 发表于 2002-12-22 12:41:00

1)PWM 芯片不要靠近MOSFET以免被干扰.PWM 地要干净.
2)DRIVER要靠近MOSFET,MOSFET与电感线圈要近.
3)插件大电容不要靠近MOSFET,以免被烧干.
4)注意电源保护.

lin9835 · 发表于 2002-12-22 12:57:00

太好了，多谢！

kelvin_gao · 发表于 2003-1-4 16:33:00

请教2楼前段时间出现在DRIVER输入电容烧爆的现象，分析之后应该是电容的RIPPLE CURRENT 参数值不够大，长时间使用之后电解液烧干而爆，应该与MOSFET的距离关系不大吧（你所指的是MOSFET发热对电容的影响吗？),另外请问电源保护指的是什么？

davidfu_2002 · 发表于 2003-1-5 12:59:00

1)电容发热有别的器件传给它的和自己产生的.适当拉开距离可防止MOSFET传热给电容.
2)电源保护是防止电压出现过冲而烧器件主要是CPU和BGA.
3)MOSFET 下桥ESR要小减少发热,上桥C要小(C大关机时可能引起烧CPU).
4)合理选择电感线圈和插件电容.

davidfu_2002 · 发表于 2003-1-5 13:00:00

还有就是减少MOSFET 的驱动NOISE, 避免烧MOSFET.对G端做保护.

kelvin_gao · 发表于 2003-1-5 17:35:00

多谢指点！david 请教个问题，如果是multiphase的电源设计，在判断电流均衡性方面一般标准是什么？比如：以MOSFET之间的温差来判别等，那么相差多少算不均衡呢？在P4主机板中，Intel要求FMB2的MOSFET最高温度不能超过120度，在运行CPU测试软件时一般不超过多少度，就算OK?

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lin9835 lin9835 当前离线积分 660 兑换点点声望度金钱元银行存款元贡献度精华中级会员, 积分 660, 距离下一级还需 340 积分头像被屏蔽	发表于 2002-12-20 21:13:00 \| 显示全部楼层 \|阅读模式提示: 该帖被管理员或版主屏蔽

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