虽然电子设备仅有含微量的铅,但只要将全球数量庞大的电子设备中的铅含量降低,就代表了我们能够有效避免铅金属所带来的潜在危害,向健康迈进一大步。飞利浦和其它半导体制造商将器件与封装工艺中的含铅物质替换掉,共同联手创造一个更安全的世界,但是这样的改变究竟对我们有何意义?以下是有关无铅解决方案的重点说明。 传统旧式的芯片与分立器件采用锡铅 (SnPb) 合金方便焊料焊接到电路板,目前则是利用纯锡电镀方式取代铅锡合金,它是一种与含铅焊料完全兼容的无铅替代选择,并拥有相同的尺寸以及电子及机构特性。此外,纯锡电镀代表飞利浦无铅器件仍可以使用于传统的锡铅焊接,测试结果显示纯锡电镀适用于标准回焊 (Reflow) 工艺,其温度低于锡的熔点。 锡须 (whisker) 属于单晶体结构,但是锡须生长效应是指产生在电镀层上的金属突出物,它的形成是由于压铸力所产生的固态扩散 (diffusion),当锡须的长度超过 50 µm 时便属于异常现象。近两年来,我们采取多种措施包括完整测试等避免锡须生长,以控制最终的厚度 (> 7.5 µm) 与后烘处理 (post baking),目前完整测试已经可以应用于锡涂层上,可完全避免锡须的生长。 无铅贴装时的焊锡条件应为 260°C,5 秒钟,采用 double wave 工艺时一次循环;回流焊接 (请看 IPC/JEDEC J-STD-020B 与飞利浦数据手册 SNW-FQ-225B) 的温度分别为 260°C (小尺寸:体积 < 350 mm3;厚度 < 2.5 mm) 与 245 °C (大尺寸) 。含铅与无铅封装的潮湿敏感度 (MSL, Moisture Sensitivity level) 并没有任何差异,但是在某些工艺中较高温的无铅焊接可能会影响到潮湿敏感度。封装上的 2D 条形码会注明潮湿敏感度,标示出两个等级,例如 MSL1 / 240 °C; MSL2 / 260 °C)。
我们所推荐的无铅焊接温度曲线为 IPC/JEDEC J-STD-020B 与飞利浦半导体的 SNW-FQ-225B (根据 Jedec 标准),飞利浦所采用的 SAC 与锡铅焊接测试乃是根据飞利浦半导体的 SNW-FQ-221 规范 (根据 IEC60068-2-58 与 J-STD-002B),以确保前向与后向的兼容性,结果显示无铅封装焊接点的可靠度与锡铅焊接效果相同甚至更佳。 在过去几年已有各种组织团体陆续推出正式的指导方针,使飞利浦在推动电子无铅产品的过程予以具体化,近期两个最重要的规范为 WEEE (电器与电子设备的废弃物) 与 RoHS (限用有害物质),对电子设备的废弃物有了更有效的控管,而与器件制造商最相关的是,RoHS 订定了电子产品中铅金属及其它数种有害原料的淘汰时程,这表示自 2006 年 7 月 1 日起,电子产品中的铅以及其明文规定中的原料必须低于一定的含量,除非有特殊的法令另行规范。 为了避免混淆,含铅与无铅产品不可以混装于单一封装 (PQ) 中,辨别无铅产品有以下三种方式: - 在卷带、袋子与 PQ 封装箱 (非 RoHS 豁免的封装) 上标有特别的无铅标志
- 封装上有特别标志 (有足够的空间))
- weekcode,可往回追踪
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