书中DDR时序仿真疑问

si-新人

doltbird版主，您好！在看您写的书里关于DDR时序仿真部分时，又遇到如下几点疑问，请您指点，谢谢。
1.在第六章仿真实例中，DDR的DQS信号与DQ信号之间的建立时间，保持时间的测量均以参考电压1.25V为阀值。而我觉得DQS应该以参考电压1.25V为阀值，而作为采样信号DQ，则应该以相应的有效高低电平为阀值，即1.56V或0.94V。因为这时候DQ采样，才能确保为高电平或低电平。不知我这样理解正确否？
2.在DDR 时序后仿真中，就像您书上说的，需要考虑串扰（如果在表面走线的话），ISI，SSN等因素的影响，我想知道串扰影响，ISI及SSN影响的大小应该如何仿真？您书上给出的值是如何确定的？
3.在时序仿真中，因为IBIS模型考虑了电源的波动，温度变化的影响，分别对应SQ里的三种模式。因此，我们只要在SLOW，TYPE，FAST这三种模式下仿真，就把电源波动及温度变化的影响考虑在内了吧？
期盼您精彩的回答，再次谢谢您！

si-新人

对于ISI对时序影响大小，是不是可以通过眼图实现？如下图所示，为DQ与DQS信号Append在一起的眼图。
这样，考虑ISI影响的建立时间，保持时间测量如下图所示。
不知是否可以这样理解？谢谢！

doltbird

回复 1# si-新人

1 是的，你的理解完全正确。实际上，对DQ的采样要求是Vref +/- 0.3V， 作为采样阈值。书中那样写，不是很严谨，但作为DDR设计，这样做是比较方便，快速完成设计。但对于DDR2-400M以上，要严格按着规范中定义的时序要求进行计算。
2 对于ISI，你的方法是对的，仿真大数据量，然后看眼图。
   对于串扰，比较精确的结果只能从布线后仿真得到。
3 原则上是这样的。但是你不能仿真整个Top中的电源波动情况。


原问题：

doltbird版主，您好！在看您写的书里关于DDR时序仿真部分时，又遇到如下几点疑问，请您指点，谢谢。 1.在第六章仿真实例中，DDR的DQS信号与DQ信号之间的建立时间，保持时间的测量均以参考电压1.25V为阀值。而我觉得DQS应该以参考电压1.25V为阀值，而作为采样信号DQ，则应该以相应的有效高低电平为阀值，即1.56V或0.94V。因为这时候DQ采样，才能确保为高电平或低电平。不知我这样理解正确否？ 2.在DDR 时序后仿真中，就像您书上说的，需要考虑串扰（如果在表面走线的话），ISI，SSN等因素的影响，我想知道串扰影响，ISI及SSN影响的大小应该如何仿真？您书上给出的值是如何确定的？ 3.在时序仿真中，因为IBIS模型考虑了电源的波动，温度变化的影响，分别对应SQ里的三种模式。因此，我们只要在SLOW，TYPE，FAST这三种模式下仿真，就把电源波动及温度变化的影响考虑在内了吧？ 期盼您精彩的回答，再次谢谢您！

si-新人

回复 3# doltbird
实在太感谢您了，百忙中抽空为我解决这些问题。
关于串扰对于时序影响大小该怎么仿真，现在还没有思路，我再好好想想，呵，等有想法时，再找您指点，呵。
关于电源波动的影响，我考虑不周，多谢您的提醒，呵。
现在有点疑问，关于TOP层上电源波动对其的影响，我觉得通过仿真几乎不可能实现的，具体值大小应该是评估获得的。请问，这样的想法对吗？如果是对的，那么是依据什么进行评估的？这个影响值的大小与本身上拉电源的波动大小有什么样的比例关系没？
谢谢！

doltbird

回复 4# si-新人


    我说的Top是连线结构的意思。从整个网络的角度看，在仿真中只考虑驱动器和接收器的Max，Min和Typ，并不能反应整个网络在环境变化下的状态。比如电解质损耗、传播速度等。但这也是整个行业的难题，没有哪个软件能做的这么强大。

si-新人

回复 5# doltbird

呵，原来是我把TOP这个词理解错了。
这下明白了，多谢doltbird版主耐心的解答。
祝您新年快乐！