请教邵老师关于DDR2内存中AC和DC的问题

huangwh09 · 发表于 2011-3-15 21:11:19

在作者的书中提到内存的AC，DC逻辑，琢磨了一下，不是很明白，这个截图是samsung的内存颗粒K4T1G164QQ中对AC，DC逻辑的类似要求：

图1

图2
对这里AC和DC的概念不是很清楚，逻辑门限也分交流和直流吗？不知作者能不能抽点时间解释下。另外，从图2可以看出，交流的逻辑门限相对直流更加严格，这又是为什么？
可能对作者只是弱弱的小问题，可我实在没琢磨明白，谢谢邵老师了。

levin · 发表于 2011-3-16 15:56:31

好问题，期待回复

doltbird · 发表于 2011-3-17 17:24:13

要弄懂这个问题，请考虑如下问题，
为什么这些参数里面没有VIH（AC)Max和VIL（AC）Min这两个参数？

想明白这个问题，你就知道这些参数定义的意义了。

huangwh09 · 发表于 2011-3-17 22:39:45

按照邵老师的提示琢磨了一下，也翻阅了一下资料，对这几个参数有了个大体的了解：
VIH(AC)Min是信号第一次翻转为高电平所需要达到的最小电平值，此后，信号只要不低于VIH(DC)Min，逻辑状态就得以保持；
VIL(AC)Max是信号第一次翻转为低电平时的最大电平值，此后，信号电平值只要不高于VIL(DC)Max，低电平逻辑状态也得以保持。
所以没有VIH（AC)Max和VIL（AC）Min这两个参数
按照图2理解，AC参数是计算建立时间和保持时间的参考点。

不知道我的理解对不对？
如果确实如此，则AC参数表征的是信号首次翻越高低电平时的门限值，而DC参数是信号保持逻辑状态不变时的门限值，是这样的吗？AC和DC还有没其它的含义呢？
谢谢邵老师。

doltbird · 发表于 2011-3-18 17:55:45

回复 5# huangwh09

我喜欢你这样的学习态度。
你的理解完全正确！学习SI就需要这样的精神。只有自己有学习的兴趣和动力才能真正理解技术的内在含义。希望你一直坚持下去，一定能有很好的收获。

huangwh09 · 发表于 2011-3-18 19:11:01

谢谢邵老师的耐心解答。对SI的学习还有很长的路要走，很惊喜得到您的鼓励。

Achilles_hu · 发表于 2011-4-20 19:19:35

楼主好学啊，值得表扬！

ctl · 发表于 2011-11-29 15:02:15

真是经典受用啦
呵呵

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