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ROHM开发出业界顶级高效率与软开关兼备的650V耐压IGBT \"RGTV/RGW系列\"

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发表于 2018-4-18 17:13:55 | 显示全部楼层 |阅读模式
<概要>
全球知名半导体制造商ROHM新开发出兼备业界顶级低传导损耗※1)和高速开关特性的650V耐压IGBT※2)\"RGTV系列(短路耐受能力※3)保持版)\"和\"RGW系列(高速开关版)\",共21种机型。这些产品非常适用于UPS(不间断电源)、焊接机及功率控制板工业设备、空调、IH(感应加热)等消费电子产品的通用变频器及转换器的功率转换。

此次开发的新系列产品采用薄晶圆技术及ROHM独有结构,在具有权衡关系的低导通损耗和高速开关特性方面,获得了业界顶级的性能。例如,在交错式PFC电路中使用时,与以往产品相比,轻负载时效率提升1.2%,重负载时效率提升0.3%,有助于进一步降低应用的功耗。另外通过元器件内部的优化,实现了顺畅的软开关。与同等效率的普通产品相比,成功减少50%电压过冲※4),从而减少以往需要用来对策的部件数量,可显著减轻设计负担。


本系列产品已于2017年10月开始出售样品(样品价格400日元~/个:不含税),并于2017年12月开始暂以月产10万个的规模开始量产。前期工序的生产基地为蓝碧石半导体宫崎株式会社(日本宫崎县),后期工序的生产基地为ROHM Integrated Systems (Thailand)(泰国)。

<背景>

近年来,随着IoT进程带来的数据量増加,对数据中心高性能化的要求越来越高。不仅服务器本身,包括进行主体电源稳定供给所不可欠缺的UPS等在内,系统整体的功耗量显著增加,进一步降低功耗已成为重要课题。


另外,在使用IGBT的大功率应用中,为确保设备的可靠性,必须对可引发元器件故障或设备误动作的开关时的过冲采取措施,简化需求日益迫切。

<特长>1.实现业界顶级的低传导损耗和高速开关性能

在本新系列产品中,利用薄晶圆技术使晶圆厚度比以往产品再薄15%,另外采用ROHM独创的单元微细化结构,成功实现业界顶级的低导通损耗(VCE(sat)=1.5V)和高速开关特性(tf=30~40ns)

2.实现软开关,减轻设备的设计负担

通过元器件内部优化,实现了ON/OFF顺畅切换的软开关。由此,开关时产生的电压过冲与普通产品相比减少了50%,可减少用来抑制过冲的外置栅极电阻和缓冲电路等部件数量。使用IGBT时,应用端不再需要以往需要的过冲对策,有利于减轻设计负担。

<产品阵容>产品阵容又新增了以\"短路耐受能力保持2μs\"为特点的RGTV系列和以\"高速开关性能\"为特点的RGW系列,能够支持更广泛的应用。

★开发中

<应用>

工业设备(UPS(不间断电源)、焊接机、功率控制板等)、空调、IH(感应加热) 等

<术语解说>
  • *1) 导通损耗
  • MOSFET和IGBT等晶体管因元器件结构的缘故,在电流流动时发生电压下降。
    导通损耗是因这种元器件的电压下降而产生的损耗。
  • *2) IGBT:Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极晶体管)
  • MOSFET的高速开关特性和双极晶体管的低传导损耗特性兼备的功率晶体管。
  • *3) 短路耐受能力
  • 对引起元器件损坏的短路(电子电路的2点用低阻值的电阻器连接)的耐受能力。
  • *4) 电压过冲
  • 开关ON/OFF时产生超出规定电压值的电压。 电压值因过冲而暂时超出稳态值,之后返回到接近稳态值。




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