AMEYA360报道：功率器件静态参数测试如何破局？

上海皇华111

　　目前，功率半导体器件市场呈现出集成化和模块化、高性能和高可靠性、多电平技术、新型器件结构和工艺、智能化和可重构等发展趋势和发展方向。功率半导体器件作为应用于严苛环境下的高功率密度器件，对器件可靠性要求居于所有半导体器件的前列。因此，对器件精准的性能测试要求、符合使用场景的可靠性测试条件以及准确的失效分析方式将有效的提升功率半导体器件产品的性能及可靠性表现。

　　不同材料、不同技术的功率器件的性能差异很大。市面上传统的测量技术或者仪器仪表一般可以覆盖器件特性的测试需求。但是宽禁带半导体器件碳化硅（SiC）或氮化镓（GaN）的技术却极大扩展了高压、高速的分布区间，如何精确表征功率器件高流/高压下的I-V曲线或其它静态特性，这就对器件的测试工具提出更为严苛的挑战。静态参数主要是指本身固有的，与其工作条件无关的相关参数。静态参数测试又叫稳态或者DC（直流）状态测试，施加激励(电压/电流)到稳定状态后再进行的测试。主要包括：栅极开启电压、栅极击穿电压、源极漏级间耐压、源极漏级间漏电流、寄生电容(输入电容、转移电容、输出电容)，以及以上参数的相关特性曲线的测试。

　　围绕第三代宽禁带半导体静态参数测试中的常见问题，如扫描模式对SiC MOSFET阈值电压漂移的影响、温度及脉宽对SiC MOSFET导通电阻的影响、等效电阻及等效电感对SiC MOSFET导通压降测试的影响、线路等效电容对SiC MOSFET测试的影响等多个维度，针对测试中存在的测不准、测不全、可靠性以及效率低的问题，普赛斯仪表提供一种基于国产化高精度数字源表(SMU)的测试方案，具备更优的测试能力、更准确的测量结果、更高的可靠性与更全面的测试能力。具有高电压和大电流特性、μΩ级导通电阻精确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容，如输入电容、输出电容、反向传输电容等。